Больше информации по резюме будет доступно после регистрации
ЗарегистрироватьсяБыл на сайте вчера в 20:29
Кандидат
Мужчина, 46 лет, родился 1 августа 1978
Активно ищет работу
Санкт-Петербург, готов к переезду (Зеленоград, Москва), готов к командировкам
Специалист, СВЧ микроэлектроника
Специализации:
- Инженер-конструктор, инженер-проектировщик
- Инженер-электроник, инженер-электронщик
- Научный специалист, исследователь
Занятость: полная занятость, частичная занятость, проектная работа
График работы: полный день, гибкий график, удаленная работа
Опыт работы 24 года 9 месяцев
Май 2015 — по настоящее время
10 лет
Ampleon BV (NXP)
Нидерланды, www.ampleon.com/
Электроника, приборостроение, бытовая техника, компьютеры и оргтехника... Показать еще
Разработчик СВЧ транзисторов
Разработка мощных дискретных корпусированных СВЧ транзисторов (GaN HEMT) для производителей базовых станций сотовой связи. Проектирование, подготовка к производству.
Характеризация технологий, взаимодействие с разработчиками технологического процесса и сборочной линией (корпусировка), проведение испытаний. Load-pull и тепловые измерения, калибровки. Разработка программного обеспечения для управления измерительными стендами. Тепловые и электромагнитные расчеты, проектирование тестовых плат для СВЧ транзисторов.
Май 2011 — Май 2015
4 года 1 месяц
ЗАО "Светлана-Рост"
Санкт-Петербург, www.svetlana-rost.ru/
Электроника, приборостроение, бытовая техника, компьютеры и оргтехника... Показать еще
Заместитель главного конструктора
Обязанности
Разработка библиотек стандартных элементов для проектирования СВЧ монолитных интегральных схем (PDK).
Достижения
Создана лаборатория СВЧ измерений
Создана группа моделирования и экстракции
Разработаны методики измерений параметров рассеяния, измерения шумовых параметров с пластин, стенд для измерений S-параметров на большом уровне сигнала с подстройкой импеданса по входу и выходу (Load Pull).
Разработана топология тестовых ячеек для проведения межоперационного контроля (PCM) и библиотек элементов для экстракции параметров.
Разработан и запущен стенд для автоматической разбраковки кристаллов с пластин. Разработано программное обеспечение для управления автоматической зондовой станцией и измерительным оборудованием. Выполнен статистический анализ экспериментальных данных.
Проведено моделирование полупроводниковых и пассивных СВЧ компонент.
Разработаны библиотеки GaAs MESFET 1.0 um и GaAs pHEMT LNA 0.25 um.
Получены патенты на разработки GaN усилителей. Публикации в области моделирования полупроводниковых приборов.
Февраль 2003 — Май 2011
8 лет 4 месяца
ELMOS Semiconductors AG
Санкт-Петербург, www.elmos.com/
Электроника, приборостроение, бытовая техника, компьютеры и оргтехника... Показать еще
Инженер
Разработка библиотек стандартных элементов для различных КМОП процессов. Мультидоменное моделирование микромеханических систем, структурные и тепловые задачи. Разработка программного обеспечения для моделирования. Разработка и реализация метода описания нестабильности технологического процесса в библиотеках моделей полупроводниковых приборов.
Август 2000 — Февраль 2003
2 года 7 месяцев
Elmos Semiconductors AG
Германия, www.elmos.com
Инженер
Разработка методик экстракции, реализация алгоритмов поиска глобального минимума в многомерном пространстве. Разработка библиотек стандартных элементов для различных КМОП процессов. Разработка программного обеспечения для моделирования.
Навыки
Уровни владения навыками
Продвинутый уровень
Уровень не указан
Обо мне
Проектирование дискретных СВЧ транзисторов на нитриде галлия. Методы повышения КПД усилителей мощности. Моделирование ЭКБ - TCAD, мультидоменное (ЭМ/тепловое) моделирование корпусированных устройств, оценка времени наработки на отказ. Измерительные техники - зондовые станции, load-pull системы, тепловые (инфракрасные) измерения, прочие СВЧ измерения. Проектирование/компоновка измерительных стендов, разработка программного обеспечения для управления измерительными приборами. Разработка программного обеспечения для полной автоматизации этапов моделирования МКЭ - создание геометрии, управление сеточным генератором, задание граничных условий. Мультидоменное моделирование МЕМС устройств. Подготовка новых специалистов и руководство группой, отделом.
Высшее образование
2000
Радиофизический, Физика полупроводников и наноэлектроника
Знание языков
Гражданство, время в пути до работы
Гражданство: Россия
Разрешение на работу: Нидерланды, Россия
Желательное время в пути до работы: Не более часа